芯片风向标
第三代半導體突圍：氮化鎵襯底國產化
全球第三代半導體競爭加劇，氮化鎵作為關鍵材料，長期受國外壟斷。山東晶鎵依托山東大學晶體材料實驗室，成功實現大尺寸氮化鎵單晶襯底的研發與量產，推動國內半導體產業鏈自主可控，助力5G通信、新能源汽車等戰略產業發展。
2026-07-20
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