เข็มทิศชิป
เทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ยุคที่สาม: การผลิตพื้นผิว GaN ในประเทศ
การแข่งขันเซมิคอนดักเตอร์ยุคที่สามทวีความรุนแรง โดยไนไตรด์ของแกลเลียมเป็นวัสดุสำคัญ ซึ่งอยู่ภายใต้การผูกขาดของต่างประเทศ บริษัทซานตงจิงเกาใช้ห้องปฏิบัติการวัสดุผลึกของมหาวิทยาลัยซานตง ประสบความสำเร็จในการพัฒนาและการผลิตแผ่นรองแบบผลึกเดี่ยวไนไตรด์ของแกลเลียมขนาดใหญ่ เพื่อขับเคลื่อนการควบคุมอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ภายในประเทศ และสนับสนุนการพัฒนาอุตสาหกรรมเชิงกลยุทธ์ เช่น การสื่อสาร 5G และรถยนต์พลังงานใหม่
2026-07-20
152
0
