2026年第三季記憶體合約價漲幅正式上修，根據市場研調機構最新數據，DRAM合約價單季漲幅上調至13%至18%，超出原先預期；NAND Flash亦呈現溫和上漲，漲幅約5%至10%。這一波漲勢主要由AI伺服器、高頻寬記憶體（HBM）需求爆發所帶動，並加速全球記憶體產業走出2025年的低迷格局。
供需結構轉變：AI需求成為主引擎
過去兩年，記憶體市場歷經庫存修正與需求疲軟，一度讓DRAM與NAND報價跌至成本邊緣。然而，2026年AI基礎建設進入下一階段，大型雲端服務供應商（CSP）資本支出持續攀升，帶動AI伺服器搭載的DRAM容量倍增，每台AI伺服器平均DRAM使用量較傳統伺服器高出4至6倍。同時，HBM3E及新一代HBM4的滲透率快速提高，進一步排擠標準型DRAM產能，導致供應缺口擴大。
供應端方面，全球前三大記憶體原廠在2025年實施的減產策略已奏效，庫存水位顯著下降。進入2026年，原廠資本支出轉向高附加價值的HBM與高頻寬產品，標準型DRAM與NAND產能擴張趨於保守，使得合約價格在需求強勁復甦下呈現易漲難跌的格局。
NAND Flash止跌反彈 企業級SSD領漲
NAND Flash市場亦迎來轉機。受惠於AI訓練與推論所需的資料儲存需求，企業級SSD出貨量逐季走高，帶動NAND Flash合約價於第二季止跌，第三季漲幅進一步擴大。特別是大容量（30TB以上）企業級SSD因供需緊張，議價空間有限，部分客戶已接受高於現貨價格的合約報價。
觀察主要原廠的動態，三星、SK海力士與美光均加速將產能轉向高層數TLC與QLC產品，並逐步淡出低利潤的消費型記憶體市場。此舉不僅優化產品組合，也讓整體產業供給紀律得以維持，法人普遍認為這波漲價週期可望延續至2027年上半年。
對東南亞及泰國半導體產業鏈的影響
記憶體價格上漲對東南亞半導體產業鏈產生多重連鎖效應。泰國作為東南亞重要的封測與電子製造基地，多家記憶體封測廠與模組廠直接受惠於漲價帶動的獲利改善。尤其AI伺服器所需的高階DRAM模組與SSD組裝訂單，陸續轉向泰國、馬來西亞等具有成本優勢與政策支持的據點生產，進一步推升區域半導體投資熱度。
此外，記憶體漲價週期亦促使下游系統廠加速備貨，帶動周邊IC設計、載板及被動元件需求同步走揚。泰國當地電子代工廠（EMS）與通路商近期接單能見度明顯拉長，部分業者已開始針對2026年第四季的記憶體採購進行提前鎖價動作，以避免後續漲價風險。
庫存調整結束 產業進入新擴張循環
從庫存週期角度觀察，全球半導體庫存調整已於2026年第一季結束，第二季起通路庫存天數降至健康水位。記憶體原廠的庫存週轉天數更從2025年第三季的14週縮短至目前8週以下，顯示供需已從寬鬆轉為緊張。市場研究機構指出，本波擴張循環將由AI、車用與工業應用並肩驅動，而非過往單一消費性電子主導的模式，因此持久性更強。
值得注意的是，車用記憶體需求雖然尚未大規模爆發，但隨著智慧座艙與ADAS滲透率提升，車規級DRAM與NAND的採用密度逐年增加。預期2027年起，車用記憶體將成為繼AI伺服器之後的另一重要成長動能。
後續觀察重點與投資策略
展望第四季，記憶體合約價能否續漲取決於三個關鍵因素：一、雲端服務商的AI資本支出是否維持高成長；二、消費性電子旺季備貨需求是否如預期回溫；三、原廠新增產能開出時點是否延後。目前看來，AI需求仍處於上升軌道，而消費性PC與手機換機潮在記憶體價格上漲預期下亦可能提前發酵，整體供需格局偏向正面。
對投資人而言，記憶體相關族群的獲利能見度已大幅提升，包括記憶體製造、封測、模組與記憶體介面IC等供應鏈均可受惠。然而，由於短線漲幅已大，建議採取分批佈局策略，並密切關注原廠法說會所提供的產能利用率與庫存展望，作為調整持股的依據。在全球半導體行情持續回暖的背景下，記憶體無疑是當下最具指標性的領漲板塊。
